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ZG硅基光延时芯片

更新时间：2024-07-23

型号：ZG

浏览量：587

硅基光延时芯片是基于厚膜 SOI 硅光子技术、将硅基光开关和硅波导延时路单片集成的自主研发产品。集成的硅基光开关使其延时态切换速度达到 1 μs 以下，硅波导延时使其延时精度提升 1 个量级，厚膜 SOI 硅光技术使其光损耗达到工程应用水平，单片集成的芯片解决了传统光延时器的体积大、可靠性差问题，是可全方面满足光控相控阵应用要求的新一代产品。
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ZG硅基 7bit 可调光延时芯片

更新时间：2024-07-25

型号：ZG

浏览量：635

硅基 7bit 可调光延时芯片梓冠光电的单片集成多比特光延时芯片是基于厚膜 SOI 硅光子技术、将硅基光开关和硅波导延时路单片集成的自主研发产品。集成的硅基光开关使其延时态切换速度达到 1 μs 以下，硅波导延时使其延时精度提升 1 个量级，厚膜 SOI 硅光技术使其光损耗达到工程应用水平，单片集成的芯片解决了传统光延时器的体积大、可靠性差问题，是可全方面满足光控相控阵应用要求的新一代产
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硅基单片集成 7bit 可调光延时芯片

更新时间：2024-07-24

型号：

浏览量：648

硅基单片集成 7bit 可调光延时芯片梓冠光电的单片集成多比特光延时芯片是基于厚膜 SOI 硅光子技术、将硅基光开关和硅波导延时路单片集成的自主研发产品。集成的硅基光开关使其延时态切换速度达到 1 μs 以下，硅波导延时使其延时精度提升 1 个量级，厚膜 SOI 硅光技术使其光损耗达到工程应用水平，单片集成的芯片解决了传统光延时器的体积大、可靠性差问题，是可全方面满足光控相控阵应用要求的新一代产
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ZG硅基6 比特光延时芯片

更新时间：2024-07-24

型号：ZG

浏览量：599

硅基6 比特光延时芯片是基于厚膜 SOI 硅光子技术、将硅基光开关和硅波导延时路单片集成的自主研发产品。集成的硅基光开关使其延时态切换速度达到 1 μs 以下，硅波导延时使其延时精度提升 1 个量级，厚膜 SOI 硅光技术使其光损耗达到工程应用水平，单片集成的芯片解决了传统光延时器的体积大、可靠性差问题，是可全方面满足光控相控阵应用要求的新一代产品。
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ZG硅基单片集成 6 比特光延时芯片

更新时间：2024-07-23

型号：ZG

浏览量：595

硅基单片集成 6 比特光延时芯片是基于厚膜 SOI 硅光子技术、将硅基光开关和硅波导延时路单片集成的自主研发产品。集成的硅基光开关使其延时态切换速度达到 1 μs 以下，硅波导延时使其延时精度提升 1 个量级，厚膜 SOI 硅光技术使其光损耗达到工程应用水平，单片集成的芯片解决了传统光延时器的体积大、可靠性差问题，是可全方面满足光控相控阵应用要求的新一代产品。
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ZGSOI芯片可调光滤波器

更新时间：2024-07-29

型号：ZG

浏览量：703

SOI芯片可调光滤波器阵列该产品基于硅基热调谐微环结构，光滤波器的中心波长和隔离度可调，实现了多通道光滤波器的单片集成，通过特殊设计实现了偏振无关特性，光电封装，数字化驱动。
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ZG高速光开关SOI芯片

更新时间：2024-07-26

型号：ZG

浏览量：677

高速光开关SOI芯片，该产品基于硅基载流子色散效应实现纳秒级高速响应的光路切换，实现了多通道光开关阵列的单片化集成，芯片与多通道光纤和外围驱动电路一体化光电封装，热电混调，数字化驱动，偏振相关性小，插入损耗低
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ZG-VOASOI芯片式高速光衰减器

更新时间：2024-08-06

型号：ZG-VOA

浏览量：566

SOI芯片式高速光衰减器基于硅基载流子色散效应实现高速响应的可调光路衰减，实现多通道VOA器件单片化集成，芯片与多通道光纤阵列和外围驱动电路一体化光电封装，数字化驱动，偏振相关性小，衰减范围大，调节精度高，衰减值稳定，响应时间为纳秒级，可在高速、低时延系统中应用。
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